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	生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
	占 荣 ; 惠 峰 ; 赵有文
	2010-08-12
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。
英文摘要	一种使用生长半绝缘砷化镓的石英管在砷化镓中掺碳的方法，包括如下步骤:步骤1:将7N Ga和7N As进行多晶合成，形成GaAs多晶;步骤2:将合成好的GaAs多晶、籽晶和B2O3放入PBN坩埚;步骤3:将PBN坩埚放入石英管的石英体中;步骤4:将纯石墨固定在石英管的石英帽上的石英槽内;步骤5:将石英体和石英帽盖合，抽真空，用氢氧焰焊接石英管的石英体和石英帽;步骤6:将焊接后的石英管放入VGF单晶炉，进行气氛掺杂，单晶生长;步骤7:将晶体生长后的PBN坩埚放入甲醇内浸泡，得到GaAs单晶，完成GaAs单晶的制备。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3594.pdf: 355766 bytes, checksum: 4e5532d9e7f9b3654b14662b983a2380 (MD5)
公开日期	2009-12-16 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15
申请日期	2008-06-11
语种	中文
专利申请号	CN200810114794.9
专利代理	汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13456]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	占 荣,惠 峰,赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法. 2010-08-12.

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