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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜

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碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
董林

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生长气氛对化学气相沉积石墨烯的影响 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
施辉东

收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2012/06/18

双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池 期刊论文
材料工程, 2011, 卷号: xx, 期号: 8, 页码: 5-7，13
作者: 杨萍; 姚文杰; 刘石勇; 彭文博; 谢小兵

收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2012/07/17

沉积气压对相变域硅薄膜性能的影响 期刊论文
功能材料, 2011, 卷号: 42, 期号: 8, 页码: 1489-1491
郝会颖; 李伟民; 曾湘波; 孔光临; 廖显伯

收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2012/07/17

蓝宝石图形衬底上GaN低温缓冲层的研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 10, 页码: 760-764
作者: 吴猛

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4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究 期刊论文
半导体光电, 2011, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 359-362
作者: 郑柳; 董林; 刘兴昉; 吴海雷; 闫果果

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GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长 期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者: 王兵; 李志聪; 梁萌

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MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 34-38,43
作者: 杨少延; 魏鸿源; 焦春美

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