| 题名 | 碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征 |
| 作者 | 董林 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2014-05-29 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 孙国胜 |
| 关键词 | 碳化硅 外延生长 物性表征 产业化 化学气相沉积 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2014-06-03 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25094]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董林. 碳化硅大面积多片外延生长技术及物性表征[D]. 北京. 中国科学院大学. 2014. |
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