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科研机构
清华大学 [1]
新疆理化技术研究所 [1]
华南理工大学 [1]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2014 [1]
2010 [1]
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质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析
会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
任迪远
;
汪波
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提交时间:2018/06/04
Ccd
质子辐照
电离效应
位移损伤
体缺陷
中子辐照超深亚微米NMOSFET的数值模拟研究初探
会议论文
第二届全国核技术及应用研究学术研讨会大会论文摘要集, 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会, 中国四川绵阳, CNKI, 中国核物理学会、国家核技术工业应用工程技术研究中心(National Engineering Research Center of Nuclear Technology Application in Industry)
王祖军
;
陈伟
;
王桂珍
;
唐本奇
;
肖志刚
;
黄绍艳
;
刘敏波
;
张勇
;
刘以农
;
Wang Zujun
;
Chen Wei
;
Wang Guizhen
;
Tang Bengqi
;
Xiao Zhigang
;
Huang Shaoyan
;
Liu Minbo
;
Zhang Yong
;
Liu Yinong
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半导体器件的中子辐射效应研究
会议论文
2007’第十二届全国可靠性物理学术讨论会, 四川都江堰, 2007-10
作者:
石晓峰
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提交时间:2019/04/17
半导体器件 中子辐射
位移效应
电离效应
位移损伤函数
辐照容限
抗辐射
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