质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析

	质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析
	文林 ; 李豫东; 郭旗 ; 任迪远 ; 汪波 ; 玛丽娅
	2014
会议日期	2014-08-13
会议地点	中国甘肃兰州
关键词	Ccd 质子辐照电离效应位移损伤体缺陷
英文摘要	对某国产埋沟科学级CCD进行了10MeV质子辐照试验研究,试验过程中重点考察了器件的暗信号、电荷转移效率特性的变化。结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复。对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行了分析,并推导了参数退化随质子辐照注量变化的经验公式。上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考。
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5348]
专题	新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 4.中国科学院大学
推荐引用方式 GB/T 7714	文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析[C]. 见:. 中国甘肃兰州. 2014-08-13.