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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2021     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142 作者:  冯婕1,2;  李豫东1,2;  傅婧1,2,3;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：117/0  |  提交时间：2022/03/07 时空数据  可视分析  网吧记录  共现群体   辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150 作者:  刘炳凯1,2,3,4;  李豫东1,2,3;  文林1,2,3;  周东1,2,3;  郭旗1,2,3 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2022/03/07 CMOS图像传感器  位移损伤效应  电离总剂量效应  暗电流随机电报信号   高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究 期刊论文 现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152 作者:  李钰1;  文林2;  周东2;  李豫东2;  郭旗2 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2021/11/29 高能质子  位移损伤效应  电荷耦合器件  非电离能损  热像素   8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究（英文） 期刊论文 原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134 作者:  傅婧1,2,3;  李豫东1,2;  冯婕1,2;  文林1,2;  郭旗1,2 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2022/01/25 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  质子辐照  电离总剂量  位移损伤剂量