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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2005 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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专题:半导体研究所
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发表日期:2005
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Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:58/0
  |  
提交时间:2010/04/11
defects
lateral composition modulation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wires
semiconductor III-V material
DOTS
HETEROSTRUCTURES
INALAS/INP(001)
SPECTROSCOPY
WAVELENGTH
INP(001)
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