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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2009     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of feni co-doped zno nanowires 期刊论文 Epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Iqbal, Javed;  Liu, Xiaofang;  Majid, Abdul;  Yu, Dapeng;  Yu, Ronghai 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4 作者:  Gai, Yanqin;  Li, Jingbo;  Hou, Qifeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Indium-induced effect on polarized electroluminescence from ingan/gan mqws light emitting diodes 期刊论文 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 4 作者:  Ruan Jun;  Yu Tong-Jun;  Jia Chuan-Yu;  Tao Ren-Chun;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Synthesis of probe-shaped gan nanorods by ammoniating ga2o3/mo films 期刊论文 Current nanoscience, 2009, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 289-292 作者:  Xu, Qing-jun;  Zhang, Shi-ying;  Zhuang, Hui-zhao 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan nanorods  Ammoniating  Luminescence   A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from er3+ ions 期刊论文 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 3044-3048 作者:  Ding Wu-Chang;  Liu Yan;  Zhang Yun;  Guo Jian-Chuan;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Er doping  Silicon nitride  Photoluminescence   Fine structural splitting and exciton spin relaxation in single inas quantum dots 期刊论文 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Dou, X. M.;  Sun, B. Q.;  Xiong, Y. H.;  Niu, Z. C.;  Ni, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/05/12 Deformation  Excitons  Fine structure  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Phonons  Photoluminescence  Semiconductor quantum dots  Spin dynamics   Room temperature photoluminescence of tensile-strained ge/si0.13ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Chen, Yanghua;  Li, Cheng;  Zhou, Zhiwen;  Lai, Hongkai;  Chen, Songyan 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/05/12 Chemical vapour deposition  Elemental semiconductors  Energy gap  Germanium  Ge-si alloys  Photoluminescence  Semiconductor epitaxial layers  Semiconductor quantum wells  Silicon  Tensile strength   Annealing behaviors of long-wavelength inas/gaas quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Liang, S.;  Zhu, H. L.;  Ye, X. L.;  Wang, W. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Optical and micro-structural properties of gan nanowires by ammoniating ga2o3/nb films 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2009, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 565-569 作者:  Zhuang Huizhao;  Li Baoli;  Wang Dexiao;  Shen Jiabing;  Zhang Shiying 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Ammoniating  Gan