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浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Reduction of ordering temperature of self-assembled fept nanoparticles by addition of au and ag 期刊论文 Journal of nanoscience and nanotechnology, 2011, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 10548-10552 作者:  Gao, Y.;  Zhang, X. W.;  Qu, S.;  You, J. B.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/05/12 Fept nanoparticles  Ordering temperature  Self-assembly  Magnetic recording   Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3 作者:  Qiao, Y. B.;  Feng, S. W.;  Xiong, C.;  Wang, X. W.;  Ma, X. Y. 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Carrier density  Cathodoluminescence  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Optical hole burning  Optical microscopy  Quantum well lasers  Semiconductor epitaxial layers  X-ray diffraction   Native p-type transparent conductive cui via intrinsic defects 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Wang, Jing;  Li, Jingbo;  Li, Shu-Shen 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Comparison of as-grown and annealed gan/ingan:mg samples 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 5 作者:  Deng, Qingwen;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yin, Haibo 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates 期刊论文 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7 作者:  Li, Tianfeng;  Chen, Yonghai;  Lei, Wen;  Zhou, Xiaolong;  Luo, Shuai 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Defect properties of as-grown and electron-irradiated te-doped gasb studied by positron annihilation 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 6 作者:  Li Hui;  Zhou Kai;  Pang Jingbiao;  Shao Yundong;  Wang Zhu 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Origin of the low thermal conductivity of the thermoelectric material beta-zn4sb3: an ab initio theoretical study 期刊论文 Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Chen, Weibing;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn alloys  Strained  Strain-relaxed  Molecular beam epitaxy   Formation of shallow acceptors in zno doped by lithium with the addition of nitrogen 期刊论文 Journal of physics and chemistry of solids, 2011, 卷号: 72, 期号: 6, 页码: 725-729 作者:  Gai, Yanqin;  Tang, Gang;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductors  Ab initio calculations  Defects  Electronic structure   Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers 期刊论文 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6 作者:  Tang Hai-Ma;  Zheng Zhong-Shan;  Zhang En-Xia;  Yu Fang;  Li Ning 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Separation by oxygen implantation  Buried oxide  Nitrogen implantation  Positive charge density