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科研机构
半导体研究所 [30]
内容类型
期刊论文 [30]
发表日期
2009 [30]
学科主题
半导体材料 [8]
半导体物理 [8]
光电子学 [3]
半导体化学 [1]
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专题:半导体研究所
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发表日期:2009
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Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy
期刊论文
Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077
作者:
Zhou, Bi
;
Pan, Shuwan
;
Chen, Songyan
;
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/05/12
Heterostructure
Nanostructure
Porous si
Porous sige
Photoluminescence
Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4
作者:
Gai, Yanqin
;
Li, Jingbo
;
Hou, Qifeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Fabrication and characterization of novel bicrystalline zno nanowires
期刊论文
Journal of materials research, 2009, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 2536-2540
作者:
Zhuang, Huizhao
;
Wang, Dexiao
;
Shen, Jiabing
;
Xue, Chengshan
;
Zhang, Xiaokai
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Proton irradiation-induced defects in undoped gasb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
Journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
作者:
Li, Hui
;
Wang, Zhu
;
Zhou, Kai
;
Pang, Jingbiao
;
Ke, Junyu
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Gasb
Proton irradiation
Defects
Positron lifetime
Photoluminescence
Magnetic coupling properties of rare-earth metals (gd, nd) doped zno: first-principles calculations
期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Shi, Hongliang
;
Zhang, Ping
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/05/12
Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in inn films grown by mocvd
期刊论文
Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420
作者:
Zhang Zeng
;
Zhang Rong
;
Xie Zi-Li
;
Liu Bin
;
Xiu Xiang-Qian
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Inn
Dislocation
Carrier origination
Localization
Enhancement of conductivity and transmittance of zno films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: 6
作者:
Cai, P. F.
;
You, J. B.
;
Zhang, X. W.
;
Dong, J. J.
;
Yang, X. L.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Annealing
Carrier density
Carrier mobility
Diffusion
Electrical conductivity
Electrical resistivity
Hydrogen
Ii-vi semiconductors
Impurity states
Interstitials
Light transmission
Plasma materials processing
Semiconductor thin films
Sputter deposition
Vacancies (crystal)
Visible spectra
Wide band gap semiconductors
Zinc compounds
Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase tio2
期刊论文
Physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 4
作者:
Peng, Haowei
;
Li, Jingbo
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Ab initio calculations
Ferromagnetic materials
Magnetic moments
Magnetic semiconductors
Titanium compounds
Vacancies (crystal)
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled sic nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
Nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Wang, Zhiguo
;
Gao, Fei
;
Li, Jingbo
;
Zu, Xiaotao
;
Weber, William J.
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Raman scattering study on ga1-xmnxas prepared by mn ions implantation, deposition and post-annealing
期刊论文
Crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220
作者:
Islam, M. R.
;
Chen, N. F.
;
Yamada, M.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Raman scattering
Ferromagnetic
Semiconductor
Gamnas
Mn ions implantation
Deposition
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