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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2010    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Lineshape Analysis of the Beat Signal Between Optical Carrier and Delayed Sidebands 期刊论文 ieee journal of quantum electronics, 2010, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 347-353 Zhu NH (Zhu Ning Hua); Man JW (Man Jiang Wei); Zhang HG (Zhang Hong Guang); Ke JH (Ke Jian Hong); Han W (Han Wei); Chen W (Chen Wei); Liu Y (Liu Yu); Wang X (Wang Xin); Yuan HQ (Yuan Hai Qing); Xie L (Xie Liang) 收藏  |  浏览/下载：99/3  |  提交时间：2010/04/13 Coherence  heterodyne technique  intensity modulation  optical spectrum  lineshape  linewidth  SELF-HETERODYNE INTERFEROMETER  LASER LINEWIDTH MEASUREMENT  SURFACE-EMITTING LASER  SEMICONDUCTOR-LASER  MODULATION  DIODES   Role of Bi3+ ions for Er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in Er/Bi codoped SiO2 thin film prepared by sol-gel method 期刊论文 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763 Zheng J (Zheng J.); Zuo YH (Zuo Y. H.); Zhang LZ (Zhang L. Z.); Wang W (Wang W.); Xue CL (Xue C. L.); Cheng BW (Cheng B. W.); Yu JZ (Yu J. Z.); Guo HQ (Guo H. Q.); Wang QM (Wang Q. M.) 收藏  |  浏览/下载：103/4  |  提交时间：2010/09/07 Photoluminescence  Energy transfer  Erbium  Bismuth   Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: art. no. 125314 作者:  Wang H;  Wang H;  Yang;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：121/5  |  提交时间：2010/04/28 GAN  ALLOYS   Near-Infrared Femtosecond Laser for Studying the Strain in Si1-xGex Alloy Films via Second-Harmonic Generation 期刊论文 ieee photonics journal, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 974-980 Zhao JH (Zhao Ji-Hong); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Chen QD (Chen Qi-Dai); Su W (Su Wen); Jiang Y (Jiang Ying); Chen ZG (Chen Zhan-Guo); Jia G (Jia Gang); Sun HB (Sun Hong-Bo) 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/12/12 CUBIC CENTROSYMMETRIC CRYSTALS  3RD-HARMONIC GENERATION  PHENOMENOLOGICAL THEORY  LAYERS  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  SUSCEPTIBILITY  SPECTROSCOPY  DEFORMATION  REFLECTION   Optical properties of light-hole excitons in GaN epilayers 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 11, 页码: article no.116103 Zhang F; Xu SJ; Ning JQ; Zheng CC; Zhao DG; Yang H; Che CM 收藏  |  浏览/下载：45/3  |  提交时间：2011/07/05 TRANSITIONS  ABSORPTION   Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method 期刊论文 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/04/05 Erbium silicate  Photoluminescence  Si photonics  WAVE-GUIDE AMPLIFIERS  CRYSTALLINE FILMS  ERBIUM SILICATE  ENERGY-TRANSFER  SI  ER3+  EXCITATION   Luminescence distribution and hole transport in asymmetric InGaN multiple-quantum well light-emitting diodes 期刊论文 journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 9, 页码: 94009-1-94009-4 作者:  Duan Ruifei;  Duan Ruifei;  Ji Xiaoli;  Ding Kai 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2011/08/16