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新疆理化技术研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2017 [2]
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专题:新疆理化技术研究所
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发表日期:2017
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Analysis of proton and gamma-ray radiation effects on CMOS active pixel sensors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 1-5
作者:
Ma, LD (Ma, Lindong)
;
Li, YD (Li, Yudong)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Wen, L (Wen, Lin)
;
Zhou, D (Zhou, Dong)
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提交时间:2018/01/08
Complementary Metal-oxide-semiconductor (Cmos) Active Pixel Sensor
Dark Current
Fixed-pattern Noise
Quantum Efficiency
Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector
期刊论文
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16
作者:
Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ]
;
Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ]
;
Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ]
;
He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ]
;
Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/07/10
Displacement damage
NIEL
P-i-n photodiode
Damage enhancement factor
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