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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 混合工艺DAC及ADC的总剂量效应研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  王信 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2016/09/27 3T和4T-CMOS图像传感器空间辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 作者:  汪波 收藏  |  浏览/下载：193/0  |  提交时间：2016/09/27 CMOS图像传感器  钳位光电二极管  电离总剂量效应  位移损伤效应  抗辐射加固   Total ionizing dose radiation effects in foue-transistor complementary metal oxide semiconductor image sensors 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 2 作者:  Wang, F (Wang Fan);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Wang, B (Wang Bo);  Zhang, XY (Zhang Xing-Yao) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/12/13 complementary metal oxide semiconductor image sensor  total ionizing dose radiation effect  pinned photodiode  full well chargecapacity   Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 mu m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 9 作者:  Zhou, H (Zhou Hang);  Zheng, QW (Zheng Qi-Wen);  Cui, JW (Cui Jiang-Wei);  Yu, XF (Yu Xue-Feng);  Guo, Q (Guo Qi) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/12/12 silicon-on-insulator  ionizing radiation  hot carriers   Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 33, 期号: 8 作者:  Wang, X (Wang, Xin);  Lu, W (Lu, Wu);  Ma, WY (Ma, Wu-Ying);  Guo, Q (Guo, Qi);  Wang, ZK (Wang, Zhi-Kuan) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/12/07