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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    发表日期：2011     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Characteristics of undoped and Sb-doped ZnO thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850 Zhu BL; Zhu SJ; Zhao XZ; Su FH; Li GH; Wu XG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：95/5  |  提交时间：2011/07/05 conductivity  doping  photoluminescence  pulsed laser deposition  ZnO  ZINC-OXIDE  ELECTRICAL-PROPERTIES  OPTICAL-PROPERTIES  OXYGEN-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  VIOLET  GROWTH  FABRICATION  DEPENDENCE   Dynamics of dense spin ensemble excited in a barrier layer and detected in a well 期刊论文 science china-physics mechanics & astronomy, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 1108-1111 作者:  Zhu H;  Wang LG 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05 spin polarized transport  optical orientation  dense spin relaxation  quantum well  TRANSPORT   Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst 期刊论文 nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：52/5  |  提交时间：2011/07/05 CdSe  nanowires  photoluminescence  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS  LIQUID-SOLID MECHANISM  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON NANOWIRES  SI NANOWIRES  ZNSE NANOWIRES  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  STRUCTURAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH   Correlation measurement of quantum cascade photons in single InAs quantum dot 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.17804 作者:  Chang XY 收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2011/07/05 single quantum dot  exciton and biexciton  photoluminescence spectrum  cascade emission   GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102 He JF; Wang HL; Shang XJ; Li MF; Zhu Y; Wang LJ; Yu Y; Ni HQ; Xu YQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE   Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  He JF;  Li MF 收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS   Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703 作者:  Yang XH;  He JF 收藏  |  浏览/下载：57/7  |  提交时间：2011/07/05 V-groove substrate  quantum wires  GaAs  EPITAXIAL-GROWTH  TRANSISTOR   Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54320 Ning JQ; Xu SJ; Ruan XZ; Ji Y; Zheng HZ; Sheng WD; Liu HC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH   Single-photon interference based on a single InAs quantum dot 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: article no.37809 作者:  Chang XY 收藏  |  浏览/下载：56/4  |  提交时间：2011/07/05 single quantum dot  antibunching effect  Mach-Zehnder interferometer  LIGHT  RESONANCE