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Band engineering of valleytronics WSe
2
-MoS
2
heterostructures via stacking form, magnetic moment and thickness
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32
作者:
Wu, Yanwei
;
Zhang, Zongyuan
;
Ma, Liang
;
Liu, Tao
;
Hao, Ning
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2023/11/10
valleytronics
thickness
stacking
magnetic moment
Effect of stacking type and magnetic moment in spin-valley polarized MoS2-MoSe2 heterobilayers
期刊论文
AIP ADVANCES, 2022, 卷号: 12
作者:
Wu, Yanwei
;
Liu, Tao
;
Hao, Ning
;
Long, Mingsheng
;
Zhang, Min
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/12/23
Prediction of the two-dimensional Janus ferrovalley material LaBrI
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2021, 卷号: 104
作者:
Jiang, Peng
;
Kang, Lili
;
Li, Yan-Ling
;
Zheng, Xiaohong
;
Zeng, Zhi
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/08/30
Valley manipulation in monolayer transition metal dichalcogenides and their hybrid systems: status and challenges
期刊论文
Reports on Progress in Physics, 2021, 卷号: 84, 期号: 2
作者:
Zhao,Siwen
;
Li,Xiaoxi
;
Dong,Baojuan
;
Wang,Huide
;
Wang,Hanwen
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2021/10/15
valleytronics
transition metal dichalcogenides (TMDs)
optoelectronic devices
hybrid heterostructures
Quantum oscillations and anomalous angle-dependent magnetoresistance in the topological candidate Ag3Sn
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101
作者:
Zhou, Nan
;
Sun, Yue
;
Xu, C. Q.
;
Xi, C. Y.
;
Wang, Z. S.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/11/26
Tunable valleytronics with symmetry-retaining high polarization degree in SnSxSe1-x model system
会议论文
China, 2020-11-15
作者:
Lin, Shuren
;
Fang, Zixuan
;
Hou, Tingzheng
;
Hsu, Ting Wan
;
So, Chi H.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/12/18
Alloying
Energy gap
Functional materials
IV-VI semiconductors
Landforms
Layered semiconductors
Light polarization
Tin alloys
Tin compoundsAbsorption and emissions
Compositional control
Linearly polarized light
Multi-functional materials
Photoluminescence measurements
Polarization degree
Theoretical calculations
Wavefunction symmetry
Tunable valleytronics with symmetry-retaining high polarization degree in SnSxSe1-x model system
期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 6
作者:
Lin, Shuren
;
Fang, Zixuan
;
Hou, Tingzheng
;
Hsu, Ting Wan
;
So, Chi H.
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/11/14
Alloying
Energy gap
Functional materials
IV-VI semiconductors
Landforms
Layered semiconductors
Light polarization
Tin alloys
Tin compounds
Absorption and emissions
Compositional control
Linearly polarized light
Multi-functional materials
Photoluminescence measurements
Polarization degree
Theoretical calculations
Wavefunction symmetry
Interfaces between MoOx and MoX2 (X = S, Se, and Te)
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: -
作者:
Chen, FM
;
Liu, JX
;
Zheng, XM
;
Liu, LH
;
Xie, HP
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/09/06
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
MONOLAYER MOS2
TRANSPORT-PROPERTIES
ELECTRONIC-STRUCTURES
GRAPHENE NANORIBBONS
LARGE-AREA
NANORODS
CARBON
Valley-Layer Coupling: A New Design Principle for Valleytronics
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2020, 卷号: 124, 期号: 3, 页码: 037701
作者:
Zhi-Ming Yu
;
Shan Guan
;
Xian-Lei Sheng
;
Weibo Gao
;
Shengyuan A. Yang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2021/12/16
Discovery of Superconductivity in 2M WS2 with Possible Topological Surface States
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2019, 卷号: 31, 期号: 30
作者:
Fang, Yuqiang
;
Pan, Jie
;
Zhang, Dongqin
;
Wang, Dong
;
Hirose, Hishiro T.
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2019/12/26
2M WS2
superconductivity
topological surface states
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