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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaN-on-Si laser diode: open up a new era of Si-based optical interconnections 期刊论文 Science Bulletin, 2016, 卷号: 61, 期号: 22 作者:  Li, D. B. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/09/11 OBSERVATION OF NANOSPHERICAL n-SnO2/p-Si HETEROJUNCTION FABRICATED BY ULTRASONIC SPRAY PYROLYSIS TECHNIQUE 期刊论文 SURFACE REVIEW AND LETTERS, 2013, 卷号: 20 作者:  He, Bo[1];  Xu, Jing[2];  Xing, Huaizhong[3];  Wang, Chunrui[4];  Guo, Ying[5] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/30 Tin oxide (SnO2) film  ultrasonic spray pyrolysis technique  heterojunction photoelectric device  current density-voltage (J-V) characteristics   Electrical Characteristics of High-Performance ZnO Field-Effect Transistors Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis Technique 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 1 作者:  Yi Ming-Dong;  Xie Ling-Hai;  Liu Yu-Yu;  Dai Yan-Feng;  Huang Jin-Ying 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/09 Electrical Characteristics of High-Performance ZnO Field-Effect Transistors Prepared by Ultrasonic Spray Pyrolysis Technique 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1 Yi MD; Xie LH; Liu YY; Dai YF; Huang JY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/06/12 ZINC-OXIDE FILMS  TEMPERATURE  DEPOSITION  SEMICONDUCTOR