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	A Snapback-Free and Low-Loss Shorted-Anode SOI LIGBT With Self-Adaptive Resistance 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1390-1395 作者: Xiaorong Luo; Yang Yang; Tao Sun; Jie Wei; Diao Fan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2019/12/17 Anodes Resistance Current density Silicon-on-insulator Insulated gate bipolar transistors Spontaneous emission Sun Low-loss p-type polysilicon self-adaptive resistance (SAR) shorted-anode (SA) snapback-free silicon on insulator lateral insulated gate bipolar transistor (SOI LIGBT)
	Numerical simulation study of organic nonvolatile memory with polysilicon floating gate 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 067102-1-067102-7 作者: Yan, ZW; Wang, J; Qiao, JL; Chen, WJ; Yang, P 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2017/01/13 organic floating gate memory polysilicon floating gate programing and erasing operations device simulation
	向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件专利专利号: US8748272, 申请日期: 2014-06-10, 公开日期: 2012-07-19 作者: 徐秋霞; 殷华湘; 陈大鹏收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2015/05/28
	多晶硅假栅移除后的监控方法专利专利号: US8501500, 申请日期: 2013-08-06, 公开日期: 2012-12-27 作者: 杨涛; 赵超; 李俊峰; 闫江; 陈大鹏收藏 \| 浏览/下载：9/0 \| 提交时间：2012/12/16
	Multifunctional silicon-based light emitting device in standard complementary metal-oxide-semiconductor technology 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18503 作者: Dong Z; Huang BJ 收藏 \| 浏览/下载：50/2 \| 提交时间：2011/07/05 optoelectronic integrated circuit complementary metal-oxide-semiconductor technology silicon-based light emitting device electroluminescence AVALANCHE BREAKDOWN PHOTON-EMISSION CURRENT-DENSITY DIODES MODEL ELECTROLUMINESCENCE SUPERLATTICES EFFICIENCY JUNCTIONS LEDS
	A novel dual-doping floating-gate (DDFG) flash memory featuring low power and high reliability application 期刊论文 ieee electron device letters, 2007 Li, Yan; Huang, Ru; Cai, Yimao; Zhou, Falong; Shan, Xiaonan; Zhang, Xing; Wang, Yangyuan 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2015/11/10 flash memory floating gate low power programming speed retention time stress-induced leakage current (SILC) INJECTION
	Studies of 6h-sic devices 期刊论文 Current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399 作者: Wang, SR; Liu, ZL 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2019/05/12 Sic Schottky Pn junction diodes Mos capacitor
	Studies of 6H-SiC devices 会议论文 korea-china joint symposium on smiconductor physics and device applications, seoul, south korea, dec 05-09, 2001 Wang SR; Liu ZL 收藏 \| 浏览/下载：8/0 \| 提交时间：2010/11/15 SiC Schottky pn junction diodes MOS capacitor JUNCTION DIODES
	Studies of 6H-SiC devices 期刊论文 current applied physics, 2002, 卷号: 2, 期号: 5, 页码: 393-399 Wang SR; Liu ZL 收藏 \| 浏览/下载：57/0 \| 提交时间：2010/08/12 SiC Schottky pn junction diodes MOS capacitor JUNCTION DIODES
	The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication 外文期刊 2001 作者: Xu, QX; Qian, H; Yin, HX; Jia, L; Ji, HH 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/11/26 p+-polysilicon Gate Ge Preamorphization Thin-films Oxides Transformation Suppression Resistance Extension Salicide Mosfet

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