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科研机构
湖南大学 [3]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [3]
专利 [1]
发表日期
2019 [3]
2003 [1]
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Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal–Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893
作者:
Zhepeng Zhang
;
Yue Gong
;
Xiaolong Zou
;
Porun Liu
;
Pengfei Yang
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提交时间:2019/12/17
chemical
vapor
deposition
metal−semiconductor
vertical
stacks
transition-metal
dichalcogenides
VSe2
WSe2
Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal-Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments
期刊论文
ACS NANO, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893
作者:
Zhang, Zhepeng
;
Gong, Yue
;
Zou, Xiaolong
;
Liu, Porun
;
Yang, Pengfei
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浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/12/17
transition-metal dichalcogenides
chemical vapor deposition
metal-semiconductor vertical stacks
VSe2
WSe2
Epitaxial Growth of Two-Dimensional Metal–Semiconductor Transition-Metal Dichalcogenide Vertical Stacks and Their Band Alignments
期刊论文
ACS Nano, 2019, 卷号: Vol.13 No.1, 页码: 885-893
作者:
Zhepeng Zhang
;
Yue Gong
;
Xiaolong Zou
;
Porun Liu
;
Pengfei Yang
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/13
chemical
vapor
deposition
metal−semiconductor
vertical
stacks
transition-metal
dichalcogenides
VSe2
WSe2
Nitride based semiconductor structures with highly reflective mirrors
专利
专利号: US20030231683A1, 申请日期: 2003-12-18, 公开日期: 2003-12-18
作者:
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
KNEISSL, MICHAEL A.
;
BOUR, DAVID P.
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提交时间:2019/12/31
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