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| 1D ZnSSe‐ZnSe Axial Heterostructure and its Application for Photodetectors 期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: Vol.5 No.4
作者: Zeming Mu; Qi Zheng; Ruping Liu; Muhammad Wasim Iqbal Malik; Dongsheng Tang
  收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/13
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| 1D ZnSSe-ZnSe Axial Heterostructure and its Application for Photodetectors 期刊论文
ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: Vol.5 No.4
作者: Mu, ZM; Zheng, Q; Liu, RP; Malik, MWI; Tang, DS
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/17 |
| 中红外固体激光器的调谐和温度控制 学位论文
硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2008
作者: 杨勇
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/11/28
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| 半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3708213B2, 申请日期: 2005-08-12, 公开日期: 2005-10-19
作者: 横川 俊哉; 熊渕 康仁
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体構造体および半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP3475637B2, 申请日期: 2003-09-26, 公开日期: 2003-12-08
作者: 横川 俊哉; 吉井 重雄
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体エピタキシャル成長方法 专利
专利号: JP3325721B2, 申请日期: 2002-07-05, 公开日期: 2002-09-17
作者: 久保 実; 西川 孝司; 佐々井 洋一
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| Semiconductor light emitting device and method of manufacturing same 专利
专利号: US6206962, 申请日期: 2001-03-27, 公开日期: 2001-03-27
作者: KIJIMA, SATORU; OKUYAMA, HIROYUKI
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、半導体発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2000208876A, 申请日期: 2000-07-28, 公开日期: 2000-07-28
作者: 加藤 豪作; 伊藤 哲
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利
专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
作者: 冨谷 茂隆; 喜嶋 悟; 奥山 浩之
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1999150332A, 申请日期: 1999-06-02, 公开日期: 1999-06-02
作者: 奥山 浩之; 喜嶋 悟
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/18 |
