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2018 [1]
2010 [1]
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The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth
期刊论文
Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3
作者:
Hu,Wei
;
Die,Junhui
;
Wang,Caiwei
;
Yan,Shen
;
Hu,Xiaotao
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浏览/下载:144/0
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提交时间:2019/05/09
Gallium nitride
Defect preferential passivation
In situ sinx
Dislocation reduction
Prevention effect
Defect tolerant perovskite solar cells from blade coated non-toxic solvents
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY A, 2018, 卷号: 6, 期号: 39, 页码: 19085-19093
作者:
Bi, Zhuoneng
;
Rodriguez-Martinez, Xabier
;
Aranda, Clara
;
Pascual-San-Jose, Enrique
;
Goni, Alejandro R.
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提交时间:2020/10/29
N-doped zno nanowires: surface segregation, the effect of hydrogen passivation and applications in spintronics
期刊论文
Physica status solidi b-basic solid state physics, 2010, 卷号: 247, 期号: 9, 页码: 2195-2201
作者:
Xu, Hu
;
Rosa, A. L.
;
Frauenheim, Th.
;
Zhang, R. Q.
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提交时间:2019/05/10
Ii-vi semiconductors
Density-functional theory
Defect levels
Spintronics
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