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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2014 - 收藏  |  浏览/下载：297/0  |  提交时间：2016/11/06 III-V族半导体  硅基  MOCVD  场效应晶体管  Ge表面   采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 专利 专利号: CN102570309B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17 作者:  周旭亮;  于红艳;  潘教青;  王圩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26