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仿生超滑移表面 的制备 及其性能研究
学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:
陈奕
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提交时间:2023/09/27
仿生,超滑移表面 ,离子液体 ,润滑油自补给 ,摩擦起电
质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应
期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:
张晋新1
;
王信2
;
郭红霞2,3
;
冯娟1
;
吕玲1
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2022/03/17
锗硅异质结双极晶体管
总剂量效应
三维数值模拟
碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨圣
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2021/08/27
SiC功率MOSFET
电离总剂量效应
高功率
开关频率
长期可靠性
NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2021, 卷号: 41, 期号: 5, 页码: 388-393
作者:
徐锐1,2
;
周东1
;
刘炳凯1,2
;
李豫东1
;
蔡娇1
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2021/11/29
电离总剂量效应
DC-DC电源变换器
输出电压
辐射损伤机理
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
陈思远
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2020/11/19
氮化镓
辐射效应
单粒子
总剂量
可靠性
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
姚帅
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/11/19
双极模拟电路
单粒子瞬态
总剂量效应
低剂量率损伤增强效应
协同效应
变温辐照方法
仿真
22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究
学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
王保顺
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2020/11/19
鳍式场效应晶体管
总剂量效应
热载流子可靠性
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