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半导体研究所 [26]
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期刊论文 [24]
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学科主题
半导体材料 [26]
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学科主题:半导体材料
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Fully integrated multi-optoelectronic synthesizer for THz pumping source in wireless communications with rich backup redundancy and wide tuning range
期刊论文
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 29084
Junjie Xu
;
Lianping Hou
;
Qiufang Deng
;
Liangshun Han
;
Song Liang
;
John H. Marsh
;
Hongliang Zhu
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2017/03/10
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.28402
作者:
Hou QF
;
Yin HB
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浏览/下载:43/6
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提交时间:2011/07/05
InGaN
solar cell
multiple quantum wells
IN1-XGAXN ALLOYS
BAND-GAP
INN
A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE
期刊论文
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:139/13
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提交时间:2010/04/22
MOVPE
In-rich InGaN
Indium incorporation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CRITICAL THICKNESS
DROPLET FORMATION
PHASE-SEPARATION
TEMPERATURE
FILMS
HETEROSTRUCTURES
IMMISCIBILITY
INXGA1-XN
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
First-principles study of native defects in rutile TiO2
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 372, 期号: 9, 页码: 1527-1530
Peng, H
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浏览/下载:86/28
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提交时间:2010/03/08
defects
rutile
TiO2
first-principles
Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Mg memory effect
redistribution
AlGaN/GaN HBTs
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
FABRICATION
High uniformity of self-organized InAs quantum wires on InAlAs buffers grown on misoriented InP(001)
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.123104
作者:
Ye XL
;
Jin P
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/04/11
NANOWIRES
THRESHOLD
WELLS
INP
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Terahertz pulse generation with LT-GaAs photoconductive antenna
会议论文
joint 31st international conference on infrared and millimeter waves/14th international conference on terahertz electronics, shanghai, peoples r china, sep 18-22, 2006
Cui, LJ (Cui, L. J.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Zhao, GZ (Zhao, G. Z.)
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浏览/下载:159/48
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提交时间:2010/03/29
TEMPERATURE-GROWN GAAS
CARRIER DYNAMICS
EMISSION
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