×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [21]
半导体研究所 [16]
近代物理研究所 [8]
上海微系统与信息技术... [7]
金属研究所 [6]
物理研究所 [5]
更多...
内容类型
期刊论文 [79]
学位论文 [4]
专利 [3]
外文期刊 [2]
发表日期
2001 [88]
学科主题
半导体物理 [4]
Physics, A... [3]
半导体材料 [3]
Engineerin... [1]
Physics [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共88条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2001
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of ion irradiation on the diffusion of pre-implanted B atoms in crystalline silicon
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2001, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 1238-1244
作者:
Sealy, BJ
;
Liu, CL
;
Nejim, A
;
Gwilliam, RM
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/10/29
implantation
transient enhanced diffusion
secondary ion mass spectrometer
crystalline silicon
A new method for inner surface modification by plasma source ion implantation (PSII)
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/S0168-583X(01)00823-0, 2001
Liu, B
;
Liu, CZ
;
Cheng, DJ
;
Zhang, GL
;
He, R
;
Yang, SZ
;
杨思泽
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/07/22
AUXILIARY ELECTRODE
CYLINDRICAL BORE
ENERGY
Damage profiles and damage annealing behavior in al0.168ga0.348in0.484p/gaas implanted with 200 kev zn+ ions
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2001, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 189-194
作者:
Liu, PJ
;
Liu, XD
;
Xia, YY
;
Li, YG
;
Xu, HL
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Algainp
Ion implantation
Damage profile
Annealing behavior
Halbleiterlaser und dazugehöriges Herstellungsverfahren
专利
专利号: DE69801342D1, 申请日期: 2001-09-20, 公开日期: 2001-09-20
作者:
IKOMA NOBUYUKI
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2019/12/26
Epoxidation of olefins on catalysts with highly isolated transition metal ions
期刊论文
chinese journal of catalysis, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 479-483
作者:
Li, C
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2015/11/10
olefin
epoxidation
highly isolated transition metal ion
framework atom
ion beam implantation
chemical grafting
ultraviolet Raman spectroscopy
styrene
cyclohexene
Method of making an article comprising an oxide layer on a GaAs-based semiconductor body
专利
专利号: US6271069, 申请日期: 2001-08-07, 公开日期: 2001-08-07
作者:
CHEN, YOUNG-KAI
;
CHO, ALFRED YI
;
HOBSON, WILLIAM SCOTT
;
HONG, MINGHWEI
;
KUO, JENN-MING
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/24
Investigation of weak damage in al0.25ga0.75as/gaas by using rbs/c and raman spectroscopy
期刊论文
Physics letters a, 2001, 卷号: 286, 期号: 5, 页码: 332-337
作者:
Liu, PJ
;
Lu, GW
;
Liu, XD
;
Xia, YY
;
Chen, Y
收藏
  |  
浏览/下载:52/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Epitaxy
Ion implantation
Raman scattering
Strain
Hrxrd
Mnsi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 226, 期号: 4, 页码: 517-520
作者:
Yang, JL
;
Chen, NF
;
Liu, ZK
;
Yang, SY
;
Chai, CL
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Ion beam epitaxy
Semiconducting manganese silicide
Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
专利
专利号: US6255129, 申请日期: 2001-07-03, 公开日期: 2001-07-03
作者:
LIN, MING-DER
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/24
The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2001, 卷号: 50, 页码: 1329-1333
作者:
Wang, YS
;
Li, JM
;
Wang, YB
;
Wang, YT
;
Sun, GS
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2018/05/31
ion implantation
solid phase epitaxy
Si1-xCx alloy
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace