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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001 Zhang, Renping; Yan, Wei; Wang, Xiaoliang; Yang, Fuhua 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/14 Aspect ratio  Current density  Drain current  Electric network analysis  Electric network analyzers  Electron mobility  Fabrication  Gallium nitride  Ohmic contacts  Passivation  Silicon nitride  Silicon wafers   Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer 期刊论文 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64007 Guo, Enqing; Liu, Zhiqiang; Wang, Liancheng; Yi, Xiaoyan; Wang, Guohong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/06/14 Drops  Efficiency  Electric contactors  Gallium nitride  Light emission  Ohmic contacts  Silica   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：710/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS   Back-to-back Schottky diode adopted for the measurement of GaN films and its Schottky contacts 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 606-610 Luo Q; Du JF; Yang MH; Wang LC; Jin T; Yu Q 收藏  |  浏览/下载：55/14  |  提交时间：2010/03/17 OHMIC CONTACTS   Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 RESISTANCE OHMIC CONTACTS  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  SINGLE-CRYSTAL GAN  MICROWAVE PERFORMANCE  STABILITY  BARRIER  DIODES