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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：上海电子信息职业技术学院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlGaN Channel HEMT With Extremely High Breakdown Voltage 期刊论文 Electron Devices, IEEE Transactions on, 2013, 卷号: Vol.60 No.3, 页码: 1046-1053 作者:  Nanjo,T.;  Suita,M.;  Imai,A.;  Oishi,T.;  Suzuki,Y. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/04 Aluminum  gallium  nitride  Epitaxial  growth  Gallium  nitride  HEMTs  Logic  gates  Ohmic  contacts  Silicon  AlGaN  channel  high-electron  mobility  transistor  breakdown  voltage  high  frequency  high  power  information&  x2013  communication  power  electronics