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科研机构
半导体研究所 [18]
内容类型
期刊论文 [18]
发表日期
2014 [6]
2013 [1]
2012 [1]
2004 [8]
2003 [2]
学科主题
光电子学 [9]
半导体器件 [2]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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专题:半导体研究所
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Mechanical properties of individual InAs nanowires studied by tensile tests
期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 10, 页码: 103110
Li, X
;
Wei, XL
;
Xu, TT
;
Ning, ZY
;
Shu, JP
;
Wang, XY
;
Pan, D
;
Zhao, JH
;
Yang, T
;
Chen, Q
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/03/25
AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 9-13
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/25
AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes grown on nano-patterned sapphire substrates with significant improvement in internal quantum efficiency
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 9-13
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2015/03/25
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 16, 页码: 163704
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Le, LC
;
Li, XJ
;
He, XG
;
Liu, JP
;
Zhang, SM
;
Wang, H
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/04/02
Suppression of electron leakage by inserting a thin undoped InGaN layer prior to electron blocking layer in InGaN-based blue-violet laser diodes
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 10, 页码: 11392-11398
Le, LC
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Yang, J
;
He, XG
;
Li, XJ
;
Liu, JP
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2015/03/25
Performance comparison of front- and back-illuminated modes of the AlGaN-based p-i-n solar-blind ultraviolet photodetectors
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2014, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 031204
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Chen, P
;
Le, LC
;
Yang, J
;
He, XG
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Wang, H
;
Zhang, BS
;
Liu, JP
;
Yang, H
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/04/02
A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 104205
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Feng, MX
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, LQ
;
Li, DY
;
Liu, JP
;
Wang, H
;
Zhu, JJ
;
Zhang, SM
;
Zhang, BS
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2014/04/09
Formation of Low-Resistant and Thermally Stable Nonalloyed Ohmic Contact to N-Face n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 17301
Zeng, C
;
Zhang, SM
;
Wang, H
;
Liu, JP
;
Wang, HB
;
Li, ZC
;
Feng, MX
;
Zhao, DG
;
Liu, ZS
;
Jiang, DS
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/03/17
Reduction of tensile stress in gan grown on si(111) by inserting a low-temperature aln interlayer
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 316-321
作者:
Zhang, BS
;
Wu, M
;
Liu, JP
;
Chen, J
;
Zhu, JJ
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
X-ray diffraction
Metalorganic chemical vapor deposition
Nitride
Semiconductor iii-v materials
Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary alingan epilayers
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 15, 页码: 2060-2063
作者:
Liu, JP
;
Jin, RQ
;
Zhang, JC
;
Wang, JF
;
Wu, M
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
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