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半导体研究所 [69]
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Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 130, 期号: 17, 页码: 173105
作者:
Yang, J.
;
Wang, B. B.
;
Zhao, D. G.
;
Liu, Z. S.
;
Liang, F.
;
Chen, P.
;
Zhang, Y. H.
;
Zhang, Z. Z.
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提交时间:2022/03/24
Interfacial influence on electrical injection and transport characterization of CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs quantum wells hetero-structure
期刊论文
Applied Surface Science, 2019, 卷号: 473, 页码: 230-234
作者:
Y. Tian
;
C. Zhang
;
C. Xiao
;
R. Wang
;
L. Xu
;
X. Devaux
;
Pierre Renucci
;
B. Xu
;
S. Liang
;
C. Yang
;
Y. Lu
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/07/30
Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027
作者:
P. Barate
;
S. H. Liang
;
T. T. Zhang
;
J. Frougier
;
B. Xu
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/05/30
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
期刊论文
AIP Advances, 2017, 卷号: 7, 页码: 035103
作者:
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
H. Long
;
M. Li
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/07/11
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/10
Polarization-independent plasmonic subtractive color filtering in ultrathin Ag nanodisks with high transmission
期刊论文
applied optics, 2016, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-152
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
;
Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
;
J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/16
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 16, 页码: 163708
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
;
Zhu, J. J.
;
Le, L. C.
;
Yang, J.
;
He, X. G.
;
Zhang, S. M.
;
Zhang, B. S.
;
Liu, J. P.
;
Yang, H.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/03/19
Raman spectroscopy of shear and layer breathing modes in multilayer MoS2
期刊论文
physical review b, 2013, 卷号: 87, 期号: 11, 页码: 115413
Zhang, X.
;
Han, W. P.
;
Wu, J. B.
;
Milana, S.
;
Lu, Y.
;
Li, Q. Q.
;
Ferrari, A. C.
;
Tan, P. H.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/09/17
Shape effects on the electronic structure and the optical gain of InAsN/GaAs nanostructures: From a quantum lens to a quantum ring
期刊论文
superlattices and microstructures, 2012, 卷号: 52, 期号: 4, 页码: 618-631
Chen J (Chen, J.)
;
Fan WJ (Fan, W. J.)
;
Xu Q (Xu, Q.)
;
Zhang XW (Zhang, X. W.)
;
Li SS (Li, S. S.)
;
Xia JB (Xia, J. B.)
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/03/27
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Li L (Li, L.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang BS (Zhang, B. S.)
;
Yang H (Yang, H.)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/04/02
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