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半导体研究所 [10]
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期刊论文 [10]
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专题:半导体研究所
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The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
aip advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 035124
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
J. J. Zhu
;
Z. S. Liu
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. C. Le
;
X. G. He
;
W. Liu
;
X. J. Li
;
F. Liang
;
B. S. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/10
Polarization-independent plasmonic subtractive color filtering in ultrathin Ag nanodisks with high transmission
期刊论文
applied optics, 2016, 卷号: 55, 期号: 1, 页码: 148-152
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
;
Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
;
J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/16
Coupling and single-photon purity of a quantum dot-cavity system studied using hydrostatic pressure
期刊论文
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 1, 页码: 014304
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
;
H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
;
H. J. Zhu
;
D. S. Jiang
;
C. L. Zhao
;
B. Q. Sun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/03/29
The significant effect of the thickness of Ni film on the performance of the Ni/Au Ohmic contact to p-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 116, 期号: 16, 页码: 163708
Li, X. J.
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, Z. S.
;
Chen, P.
;
Zhu, J. J.
;
Le, L. C.
;
Yang, J.
;
He, X. G.
;
Zhang, S. M.
;
Zhang, B. S.
;
Liu, J. P.
;
Yang, H.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2015/03/19
Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
期刊论文
semiconductor science and technology, 2012, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 085017
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Chen P (Chen, P.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Li L (Li, L.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang BS (Zhang, B. S.)
;
Yang H (Yang, H.)
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/04/02
Properties investigation of gan films implanted by sm ions under different implantation and annealing conditions
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432
作者:
Jiang, L. J.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, Z. G.
;
Yang, C. B.
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Ferromagnetic
Implantation
Annealing
Growth and characterization of algan/gan heterostructure using unintentionally doped aln/gan superlattices as barrier layer
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang, M. L.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Yang, C. B.
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Algan/gan heterostructure
Superlattices (sls)
Root mean square roughness (rms)
Sheet resistance
Investigation of responsivity decreasing with rising bias voltage in a gan schottky barrier photodetector
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 6
作者:
Zhang, Shuang
;
Zhao, D. G.
;
Jiang, D. S.
;
Liu, W. B.
;
Duan, L. H.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in inn films
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: 5
作者:
Wang, H.
;
Jiang, D. S.
;
Wang, L. L.
;
Sun, X.
;
Liu, W. B.
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted gan
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Majid, Abdul
;
Ali, Akbar
;
Zhu, J. J.
;
Wang, Y. T.
;
Liu, W.
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
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