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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018 作者:  Wang WW(王文武);  Zheng YK(郑英奎);  Jiang HJ(蒋浩杰);  Wei K(魏珂);  Wang XH(王鑫华) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19