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Source-Field-Plated β-Ga2O3 MOSFET with Record Power Figure of Merit of 50.4 MW/cm2 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Yuanjie Lv;  Xingye zhou;  shibing Long;  Xubo Song;  Yuangang Wang
收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/04/18
Bipolar Analog Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing 期刊论文
Materials, 2018
作者:  Wang R(王睿);  Shi T(时拓);  Zhang XM(张续猛);  Wang W(王伟);  Wei JS(魏劲松)
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/04/18
InP基HEMT器件16参数小信号模型 期刊论文
红外与毫末波学报, 2018
作者:  金智;  Zhong Ying Hui;  Li Kai Kai;  LI Meng Ke;  Wang Wen Bin
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/19
Breaking the Current-Retention Dilemma in Cation-Based Resistive Switching Devices Utilizing Graphene with Controlled Defects 期刊论文
Advanced Materials, 2018
作者:  Zhao XL(赵晓龙);  Liu Q(刘琦);  Liu S(刘森);  Niu JB(牛洁斌);  Zhang XM(张续猛)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/10
Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Cao RR(曹荣荣);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Wang Y(王艳)
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/07/12
Emulating Short-Term and Long-Term Plasticity of Bio-Synapse Based on Cu,a-Si,Pt Memristor 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Wu FC(伍法才);  Zhang XM(张续猛);  Liu S(刘森);  Liu M(刘明);  Wu QT(吴全潭)
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/07/12
INVESTIGATION OF THE FORMING PROGRAM FAILTURE IN ITIR STRUCTURE 会议论文
作者:  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Wang GM(王国明);  Zhang MY(张美芸);  Liu HT(刘红涛)
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/14
A Physical Model for the Statistics of the Set Switching Time of Resistive RAM Measured with the Width-Adjusting Pulse Operation Method 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2015
作者:  Zhang MY(张美芸);  Yu ZA(余兆安);  Li Y(李阳);  Xu DL(许定林);  Lv HB(吕杭炳)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/05/24
The TID effects of RRAM based oxide material 会议论文
作者:  Wang Y(王艳);  Liu M(刘明);  Long SB(龙世兵);  Lv HB(吕杭炳);  Liu Q(刘琦)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/06/14
Justification and Monte Carlo simulation of microstructure evolution process of conductive filament in reset transition in Cu/HfO2/Pt RRAM 会议论文
作者:  Liu Q(刘琦);  Xu XX(许晓欣);  Zhang MY(张美芸);  Wang GM(王国明);  Liu M(刘明)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/06/14

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