|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410398357.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-03-30
作者: 王桂磊 ; 崔虎山; 殷华湘; 李俊峰; 朱慧珑
  收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2019/03/26 |
| Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410454224.X, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-04-06
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet 期刊论文
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2018
作者: Luo JJ(罗家俊); Zheng ZS(郑中山); Li B(李博); Wang L(王磊); Zhu HP(朱慧平)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| 鳍式场效应晶体管及其制造方法 专利
专利号: CN201410525045.0, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2016-05-11
作者: 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/03/21 |
| Band-Edge Work Function Obtained by Plasma Doping TiN Metal Gate for nMOS Device Application 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICE, 2018
作者: Shan Tang; Tao GL(陶桂龙); Li JF(李俊峰); Zhu HL(朱慧珑); Wang XL(王晓磊)
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2017
作者: Zhu HL(朱慧珑); Xu QX(徐秋霞); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Henry Homayoun Radamson
收藏 | 浏览/下载：47/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| Hetero-Epitaxy and Self-Adaptive Stressor Based on Freestanding Fin for the 10 nm Node and Beyond 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2017
作者: Zhu HL(朱慧珑); Wang GL(王桂磊); Wan GX(万光星)
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Zhao C(赵超); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Liu JB(刘金彪); Yang T(杨涛)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Wang GL(王桂磊); Ye TC(叶甜春); Henry Homayoun Radamson; Zhao C(赵超); Zhu HL(朱慧珑)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/05 |
