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苏州纳米技术与纳米仿... [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2018 [4]
2016 [1]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current
期刊论文
ELECTRONICS LETTERS, 2018
作者:
Wang, Qilong
;
Zhang, Bingliang
;
Du, Zhongkai
;
Zhao, Jie(赵杰)
;
Chen, Fu(陈扶)
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/27
Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:
Fan, Yaming(范亚明)
;
Song, Liang(宋亮)
;
Cai, Yong(蔡勇)
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
;
Zhao, Jie
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2019/03/27
Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018
作者:
Deng, Xuguang(邓旭光)
;
Li, Xiang
;
Xu, Ning
;
Hao, Ronghui(郝荣晖)
;
Zhang, Xinping
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/03/27
Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:
Ding, Xiaoyu
;
Yu, Guohao
;
Cheng, Kai
;
Cai, Yong
;
Zhang, Baoshun(张宝顺)
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2019/03/27
Solution-Processed 8-Hydroquinolatolithium as Effective Cathode Interlayer for High-Performance Polymer Solar Cells
期刊论文
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2016, 卷号: 8, 期号: 14
作者:
Liu, WQ
;
Liang, T
;
Chen, Q
;
Yu, ZK
;
Zhang, YY
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2017/03/11
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