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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Gallium Nitride Normally-Off Vertical Field-Effect Transistor Featuring an Additional Back Current Blocking Layer Structure 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8 作者:  Huang, Huolin;  Li, Feiyu;  Sun, Zhonghao;  Sun, Nan;  Zhang, Feng 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/02 vertical field-effect transistor (VFET)  back current blocking layer (BCBL)  gallium nitride (GaN)  normally off power devices   Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 60, 页码: 66-70 作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Liu, Yang;  Xia, Xiaochuan;  Huang, Huolin 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN  InGaN interlayer  Strain  Microstructure   Enhanced output power of near-ultraviolet LEDs with AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors on 6H-SiC by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2015, 卷号: 85, 页码: 482-487 作者:  Tao, Pengcheng;  Liang, Hongwei;  Xia, Xiaochuan;  Liu, Yang;  Jiang, Jianhua 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/09 Silicon carbide  Ultraviolet light-emitting diode  Distributed Bragg reflector  SiNx interlayer   Preface 期刊论文 Advanced Materials Research, 2012, 卷号: 468-471 作者:  Yu, Zhou;  Chen, Wenzhe;  Jiang, Zhengyi;  Kim, Yun-Hae;  Dai, Pinqiang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/18