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Dispersion engineering of a As2Se3-based strip/slot hybrid waveguide for mid-infrared broadband wavelength conversion 期刊论文
modern physics letters b, 2016, 卷号: 30, 期号: 28
作者:  Hui, Zhanqiang;  Zhang, Lingxuan;  Wang, Leiran;  Zhang, Wenfu
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Vertical-cavity surface-emitting laser 专利
专利号: WO2016139473A1, 申请日期: 2016-09-09, 公开日期: 2016-09-09
作者:  HAYNE, MANUS;  HODGSON, PETER DAVID
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Semiconductor device and fabrication method 专利
专利号: US9401404, 申请日期: 2016-07-26, 公开日期: 2016-07-26
作者:  LIU, HUIYUN;  SEEDS, ALWYN JOHN;  POZZI, FRANCESCA
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Semiconductor laser device and method for fabricating the same 专利
专利号: US7402447, 申请日期: 2008-07-22, 公开日期: 2008-07-22
作者:  ONISHI, TOSHIKAZU
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Semiconductor laser diode with emission efficiency independent of thickness of p-type cladding layer 专利
专利号: US20070258498A1, 申请日期: 2007-11-08, 公开日期: 2007-11-08
作者:  KAWAHARA, TAKAHIKO;  FURUKAWA, MASATO
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Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed 专利
专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:  
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Fabrication method of a semiconductor laser device 专利
专利号: US6933159, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:  KITO, MASAHIRO;  ISHINO, MASATO;  TODA, TOMOAKI;  NAKANO, YOSHIAKI
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System and method for fabricating efficient semiconductor lasers via use of precursors having a direct bond between a group III atom and a nitrogen atom 专利
专利号: US6934312, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  TAN, MICHAEL;  CHANG, YING-IAN
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Tunnel junctions for long-wavelength VCSELs 专利
专利号: US6933539, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
作者:  BHAT, RAJARAM;  NISHIYAMA, NOBUHIKO
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Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed 专利
专利号: US20050129078A1, 申请日期: 2005-06-16, 公开日期: 2005-06-16
作者:  JOHNSON, RALPH H.
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