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上海技术物理研究所 [16]
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Tailoring Active Far-Infrared Resonator with Graphene Metasurface and Its Complementary
期刊论文
PLASMONICS, 2017, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 353-360
作者:
Wang L
;
Chen XS
;
Cao QJ
;
Tang WW
;
Liu CL
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2018/11/20
TERAHERTZ METAMATERIALS
MAGNETIC RESPONSE
FANO RESONANCES
PLASMA-WAVES
TRANSISTORS
DEVICES
Recent progress on integrating two-dimensional materials with ferroelectrics for memory devices and photodetectors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 3
作者:
Wang JL
;
Hu WD
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/11/20
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
THIN-FILM-TRANSISTOR
MOS2
GRAPHENE
HETEROSTRUCTURES
POLYMER
PHOTOTRANSISTORS
OPTOELECTRONICS
ELECTRONICS
MONOLAYER
MoS2 nanosheet photodetectors with ultrafast response
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 111, 期号: 15
作者:
Tang WW
;
Liu CL
;
Wang L
;
Chen XS
;
Luo M
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2018/11/20
SINGLE-LAYER MOS2
MONOLAYER MOS2
ELECTRONIC-PROPERTIES
ULTRATHIN MOS2
PHOTOTRANSISTORS
HETEROSTRUCTURES
TRANSISTORS
GRAPHENE
PHOTOLUMINESCENCE
GENERATION
An introduction of resistive arrays and packaging technology
会议论文
作者:
Sun Q
;
Liu DF
;
Gong HM
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2018/11/20
Resistor arrays
Packaging technology
Infrared scene simulation
Fabrication and Transfer of Flexible Few-Layers MoS2 Thin Film Transistors to Any Arbitrary Substrate
期刊论文
ACS NANO, 2013, 卷号: 7, 期号: 10, 页码: 8809-8815
-
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2016/05/16
MOS2
flexible electronics
graphene
transition metal dichalcogenides
mobility
bending radius
transfer technique
Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain
期刊论文
Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 45, 期号: 7
作者:
W.D.Hu L.Wang X.S.Chen N.Guo J.S.Miao A.Q.Yu W.Lu
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2014/11/10
Plasmonicresonantabsorption
Gratinggate
Finitedifferencetimedomain
(Fdtd)Numericalsimulation
Plasmonwave
Farinfraredterahertzdetection
Ganhemts
Spectrum Analysis of 2-D Plasmon in GaN-Based High Electron Mobility Transistors
期刊论文
IEEE J SEL TOP QUANT, 2013, 卷号: 19, 期号: 1
LinWang
;
Xiao-ShuangChen
;
Wei-DaHu
;
WeiLu
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2014/11/10
Highelectronmobilitytransistors(HEMTs)
plasmonics
spectrum
terahertz(THz)detectors
Plasmon resonant excitation in grating-gated AlN barrier transistors at terahertz frequency
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
Wang, L
;
Hu, WD
;
Wang, J
;
Wang, XD
;
Wang, SW
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2013/03/18
Analysis of Interface Scattering in AlGaN/GaN/InGaN/GaN Double-Heterojunction High-Electron-Mobility Transistors
期刊论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 8
作者:
Wang, L
;
Hu, WD
;
Chen, XS
;
Lu, W
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2013/03/18
Self-assembly of reduced graphene oxide at liquid-air interface for organic field-effect transistors
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY, 2012, 卷号: 22, 期号: 13
作者:
Ren, SD
;
Li, RJ
;
Meng, XJ
;
Li, HX
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/18
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