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半导体研究所 [27]
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专题:半导体研究所
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Spatial hole burning degradation of algaas/gaas laser diodes
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 10, 页码: 3
作者:
Qiao, Y. B.
;
Feng, S. W.
;
Xiong, C.
;
Wang, X. W.
;
Ma, X. Y.
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Carrier density
Cathodoluminescence
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Optical hole burning
Optical microscopy
Quantum well lasers
Semiconductor epitaxial layers
X-ray diffraction
Tuning electron spin states in quantum dots by spin-orbit interactions
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Liu Yu
;
Cheng Fang
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Tuning Electron Spin States in Quantum Dots by Spin-Orbit Interactions
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.67303
Liu Y
;
Cheng F
收藏
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浏览/下载:40/0
  |  
提交时间:2011/07/05
ARTIFICIAL ATOMS
RESONANCE
MEMORY
LAYERS
WELLS
GATE
Tuning of the two electron states in quantum rings through the spin-orbit interaction
期刊论文
Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Liu, Y.
;
Cheng, F.
;
Li, X. J.
;
Peeters, F. M.
;
Chang, Kai
收藏
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Tuning of the two electron states in quantum rings through the spin-orbit interaction
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 4, 页码: art. no. 045312
Liu Y (Liu Y.)
;
Cheng F (Cheng F.)
;
Li XJ (Li X. J.)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
;
Chang K (Chang Kai)
收藏
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浏览/下载:70/4
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提交时间:2010/08/17
GATE CONTROL
SPINTRONICS
RESONANCE
ENERGY
LAYERS
DOT
Carrier capture by threading dislocations in (In,Ga)N/GaN heteroepitaxial layers
期刊论文
physical review b, 2010, 卷号: 81, 期号: 12, 页码: art. no. 125314
作者:
Wang H
;
Wang H
;
Yang
;
Jiang DS
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浏览/下载:122/5
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提交时间:2010/04/28
GAN
ALLOYS
Cathodoluminescence study of gan-based film structures
期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: S58-s63
作者:
Jiang, D. S.
;
Jahn, U.
;
Chen, J.
;
Li, D. Y.
;
Zhang, S. M.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2008, 卷号: 19, 页码: s58-s63 suppl. 1
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/08
Spatial distribution of deep level defects in crack-free algan grown on gan with a high-temperature aln interlayer
期刊论文
Journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: 5
作者:
Sun, Q.
;
Wang, H.
;
Jiang, D. S.
;
Jin, R. Q.
;
Huang, Y.
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
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