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Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Ning, J. Q.;  Xu, S. J.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang;  Zheng, H. Z.
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Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell 期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:  Shang, X. J.;  He, J. F.;  Wang, H. L.;  Li, M. F.;  Zhu, Y.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:  He JF;  Li MF
收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05
Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54320
Ning JQ; Xu SJ; Ruan XZ; Ji Y; Zheng HZ; Sheng WD; Liu HC
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/01/06
Hydride vapor phase epitaxy growth of semipolar, 10(1)over-bar(3)over-bargan on patterned m-plane sapphire 期刊论文
Journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: H721-h726
作者:  Wei, T. B.;  Hu, Q.;  Duan, R. F.;  Wei, X. C.;  Yang, J. K.
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Effective recombination velocity of textured surfaces 期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 19, 页码: art. no. 193107
Xiong KL (Xiong Kanglin); Lu SL (Lu Shulong); Jiang DS (Jiang Desheng); Dong JR (Dong Jianrong); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：119/3  |  提交时间：2010/06/04
Optical properties of InN rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:  Zhang SM
收藏  |  浏览/下载：58/1  |  提交时间：2011/07/05
Tensile and compressive mechanical behavior of twinned silicon carbide nanowires 期刊论文
acta materialia, 2010, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 1963-1971
作者:  Li JB
收藏  |  浏览/下载：63/1  |  提交时间：2010/04/22
Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth of Semipolar, 10(1)over-bar(3)over-barGaN on Patterned m-Plane Sapphire 期刊论文
journal of the electrochemical society, 2010, 卷号: 157, 期号: 7, 页码: h721-h726
Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.)
收藏  |  浏览/下载：292/52  |  提交时间：2010/06/18
Spin states in inas/alsb/gasb semiconductor quantum wells 期刊论文
Physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 11
作者:  Li, Jun;  Yang, Wen;  Chang, Kai
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