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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluation of thermal radiation dependent performance of gasb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model 期刊论文 Solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710 作者:  Wang, Y.;  Chen, N. F.;  Zhang, X. W.;  Huang, T. M.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Thermophotovoltaic  Gallium antimonide  Absorption coefficient   Evaluating 0.53 ev gainassb thermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Wang, Y.;  Chen, N. F.;  Zhang, X. W.;  Huang, T. M.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Evaluating 0.53 eVGaInAsSbthermophotovoltaic diode based on an analytical absorption model 期刊论文 semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095002 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Bai YM (Bai Y. M.) 收藏  |  浏览/下载：171/19  |  提交时间：2010/09/20 OPTICAL DIELECTRIC FUNCTION  DISPERSION-RELATIONS  CARRIER MOBILITIES  PHASE EPITAXY  DOPED GAAS  DEVICES  GASB  INP  ALXGA1-XAS  INGAASSB   Evaluation of thermal radiation dependent performance of GaSb thermophotovoltaic cell based on an analytical absorption coefficient model 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2010, 卷号: 94, 期号: 10, 页码: 1704-1710 Wang Y (Wang Y.); Chen NF (Chen N. F.); Zhang XW (Zhang X. W.); Huang TM (Huang T. M.); Yin ZG (Yin Z. G.); Wang YS (Wang Y. S.); Zhang H (Zhang H.) 收藏  |  浏览/下载：190/22  |  提交时间：2010/09/07 Thermophotovoltaic  Gallium antimonide  Absorption coefficient   Studies of high dc current induced degradation in iii-v nitride based heterojunctions 期刊论文 Ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 作者:  Ho, WY;  Surya, C;  Tong, KY;  Lu, LW;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Current stressing  Dlts  Flicker noise  Heterojunctions  Iii-v nitride   Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425 Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 current stressing  DLTS  flicker noise  heterojunctions  III-V nitride  LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS  RESONANT-TUNNELING DIODES  FLICKER NOISE  GALLIUM NITRIDE  1/F NOISE  DEVICES  TRANSISTORS  QUALITY