QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in inp 期刊论文 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 作者:  Deng, AH;  Mascher, P;  Zhao, YW;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS