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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：南开大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Submonolayer InGaAs/GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zero-linewidth enhancement factor 期刊论文 Applied Physics Letters, 2004, 卷号: Vol.85 No.15, 页码: 3259-3261 作者:  Xu, Zhangcheng;  Birkedal, Dan;  Juhl, Michael;  Hvam, Jørn M. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/02/27 indium compounds  gallium arsenide  III-V semiconductors  quantum dot lasers  semiconductor quantum dots  electroluminescence