CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
亚波长极紫外金属透射光栅及其制作方法 专利
专利号: US9442230, 申请日期: 2016-09-13, 公开日期: 2014-06-26
作者:  李海亮;  谢常青;  刘明;  李冬梅;  史丽娜
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/06/09
半导体器件制造方法 专利
专利号: US9418835, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2016-03-26
作者:  刘金彪;  李俊峰;  王桂磊
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/06/12
Progress in flexible organic thin-film transistors and integrated circuits 期刊论文
SCIENCE BULLETIN, 2016
作者:  Wang W(王伟);  Lu CY(陆丛研);  Xu GW(徐光伟);  Wang LF(汪令飞);  Han ZH(韩志恒)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/05/11
Impact of the Silicon-nitride Passivation Film Thickness on the Characteristics of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs 期刊论文
Journal of the Korean Physical Society, 2015
作者:  Yang J(杨杰);  Ding P(丁芃);  Jin Z(金智);  Zhong YH(钟英辉);  Li XJ(李新建)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/05/26
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US8652893, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2013-04-04
作者:  陈大鹏;  殷华湘;  徐秋霞
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/05/27
Charge storage characteristics of metal-induced nanocrystalline in erbium-doped amorphous silicon films 外文期刊
2008
作者:  Li, ZG;  Guan, WH;  Liu, M;  Long, SB;  Jia, R
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/26
Memory  Oxide  Fabrication  Er  
Charge storage characteristics of hydrogenated nanocrystalline silicon film prepared by rapid thermal annealing 外文期刊
2007
作者:  Li, ZG;  Long, SB;  Liu, M;  Wang, CS;  Jia, R
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/26
A short-channel SOI RF power LDMOS technology with TiSi2 salicide on dual sidewalls with cutoff frequency f(T) similar to 19.3 GHz 外文期刊
2006
作者:  Yang, R;  Li, JF;  Qian, H;  Lo, GQ;  Balasubramanian, N
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/26
Effects of Si, Ge and Ar ion-implantation on EL from Au/Si-rich SiO2/p-Si structure 外文期刊
2001
作者:  Chen, Y;  Ran, GZ;  Sun, YK;  Wang, YB;  Fu, JS
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26
Resonant tunneling through nano-size quantum dots embedded in amorphous tissues 外文期刊
2000
作者:  Liu, M;  Wang, Z;  He, YL;  Jiang, XL
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace