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| 锗基pMOSFET迁移率的栅电荷库伦散射研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 周丽星
  收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2019/09/06 |
| 面向16/14nm节点高性能P-FinFET锗硅源漏集成工艺与器件特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 秦长亮
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/09/05 |
| 高性能波导集成型锗 p i n光电探测器的制备 期刊论文
微纳电子技术, 2018
作者: 张鹏; 王桂磊; 刘道群; 李志华; 冯俊波
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| 一种锗的化学机械抛光方法 专利
专利号: CN201410345960.1, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2016-01-20
作者: 刘金彪 ; 杨涛; 赵超; 李俊峰; 贺晓彬
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/03/19 |
| 逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210524694.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-11
作者: 张文亮; 胡爱斌; 朱阳军; 陆江
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利
专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23
作者: 秦长亮; 叶甜春; 殷华湘
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2016/10/21 |
| 一种硅基锗外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN201210576570.6, 申请日期: 2015-11-18, 公开日期: 2013-04-03
作者: 郭浩; 王盛凯; 韩乐; 陈洪钧; 张雄
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 一种基于硅基锗外延的波导近红外探测器及其制备方法 专利
专利号: CN201210576133.4, 申请日期: 2015-06-17, 公开日期: 2013-04-03
作者: 陈洪钧; 张雄; 常虎东; 薛百清; 韩乐
收藏 | 浏览/下载：32/0 | 提交时间：2016/06/20 |
| 高频内匹配功率器件的封装方法 专利
专利号: CN201210319726.2, 申请日期: 2015-04-29, 公开日期: 2012-12-19
作者: 陈晓娟; 杨成樾; 罗卫军; 刘新宇
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2016/09/12 |
| 一种锗纳米线结构的制作方法 专利
专利号: CN201310741573.5, 申请日期: 2015-04-01, 公开日期: 2014-04-02
作者: 孙兵; 常虎东; 赵威; 王盛凯; 刘洪刚
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/06/20 |
