CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文
2017
作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05
AlGaN/GaN MIS-HEMTs of Very-Low Vth Hysteresis and Current Collapse With In-Situ Pre-Deposition Plasma Nitridation and LPCVD-Si3N4 Gate Insulator 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者:  Zhang, Zhili（张志利）;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao（于国浩）;  Zhang, Xiaodong（张晓东）
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/02/05
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2017/03/11
Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film 期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12
作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11
Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩)
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/11
Spatial distribution of crystalline quality in N-type GaN grown on patterned sapphire substrate 期刊论文
OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 6
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace