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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11 作者:  Hu, WW;  Zhang, SM(张书明);  Ikeda, M;  Chen, YG;  Liu, JP(刘建平) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7 作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 Te doping  Mg doping  GaAs tunnel junction  GaInP/GaAs tandem solar cell  molecular beam epitaxy   Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 卷号: 28, 期号: 10 作者:  Zhang, BS(张宝顺);  Yang, H(杨辉);  Zhang, SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2014/01/13 Improved Hole Transport by p-InxGa1-xN Layer in Multiple Quantum Wells of Visible LEDs 期刊论文 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2013, 卷号: 25, 期号: 18, 页码: 1789-1792 作者:  Liu, JP(刘建平) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/13 Epitaxial growth  light emitting diodes  luminescence   Dependence of InGaN solar cell performance on polarization-induced electric field and carrier lifetime 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 9 作者:  Yang, J;  Zhang, SM (张书明);  Yang, H(杨辉);  Zhang, BS (张宝顺) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/01/10 nitride materials  solar cell  polarization   Enhanced performance of p-GaN by Mg delta doping 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 304, 期号: 1, 页码: 7-10 作者:  Zhang SM;  Liu JP;  Wang HB（王怀兵） 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/01/15 delta doping  dislocation density  hole concentration  LED  GaN  MOCVD