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Influence of hydrogen impurity on the resistivity of low temperature grown p-AlxGa1-xN layer (0.08 <= x <= 0.104) 期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018
作者:  Liu, Wei;  Liang, Feng;  Yang, Ying;  Zhao, Degang;  Jiang, Desheng
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/03/27
Resistivity reduction of low temperature grown p-Al0.09Ga0.91N by suppressing the incorporation of carbon impurity 期刊论文
AIP ADVANCES, 2018
作者:  Zhao, D. G.;  Du, G. T.;  Zhang, Y. T.;  Li, Mo;  Wang, W. J.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/03/27
Room-temperature bonding of GaAs//Si and GaN//GaAs wafers with low electrical resistance 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018
作者:  Ajima, Yoshiaki;  Nakamura, Yuki;  Murakami, Kenta;  Teramoto, Hideo;  Jomen, Ryota
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/03/27
Low-temperature study of neutral and charged excitons in the large-area monolayer WS2 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Liu, Xinke;  Gu, Hong;  Chen, Le;  Lu, Youming;  Tian, Feifei(田飞飞)
收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2019/03/27
Dynamics of low temperature excitons in Fe-doped GaN 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018
作者:  Bai, Y.;  Zhou, T. F.(周桃飞);  Zhang, Y. M.;  Xu, K.(徐科);  Wang, J. F.(王建峰)
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/03/27
Mg concentration profile and its control in the low temperature grown Mg-doped GaN epilayer 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017
作者:  Liu, S.T.;  Yang, J.;  Zhao, D.G.;  Jiang, D.S.;  Liang, F.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/02/05
The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017
作者:  Liu, Shuang-Tao;  Zhao, De-Gang;  Yang, Jing;  Jiang, De-Sheng;  Liang, Feng
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/06
Room-temperature, low-impedance and high-sensitivity terahertz direct detector based on bilayer graphene field-effect transistor 期刊论文
CARBON, 2017
作者:  Qin, Hua（秦华）;  Sun, Jiandong（孙建东）;  Liang, Shixiong;  Li, Xiang（李享）;  Yang, Xinxin（杨昕昕）
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/02/06
Room-temperature wafer bonded InGaP/GaAs//InGaAsP/InGaAs four-junction solar cell grown by all-solid state molecular beam epitaxy 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 1
作者:  
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Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses 期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
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