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Giant Effect of Terahertz-Radiation Rectification in Periodic Graphene Plasmonic Structures 期刊论文
SEMICONDUCTORS, 2017
作者:  Fateev, D. V.;  Mashinsky, K. V.;  Qin, Hua（秦华）;  Sun, Jiandong（孙建东）;  Popov, V. V.
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2018/02/05
Investigation of the properties and formation process of a peculiar V-pit in HVPE-grown GaN film 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2017
作者:  Zhang, Min（张敏）;  Cai, Demin（蔡德敏）;  Zhang, Yumin;  Su, Xujun;  Zhou, Taofei
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/02/05
Electronic structure and optical properties of V-doped Bi4Ti3O12 nanoparticles 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017
作者:  Gu, Daguo;  Qin, Yingying;  Wen, Yongchun;  Li, Tie（李铁）;  Qin, Lin
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/02/05
III-V化合物半导体多结太阳电池的分子束外延生长与器件研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  代盼
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/15
Investigation of room-temperature wafer bonded GaInP/GaAs/InGaAsP triple-junction solar cells 期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389
作者:  Yang, WX(杨文献);  Dai, P(代盼);  Ji, L(季莲);  Tan, M;  Wu, YY(吴渊渊)
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/03/11
Emission efficiency enhanced by introduction of the homogeneous localization states in InGaN/GaN multiple quantum well LEDs 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 681
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/03/11
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes 期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11
Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity 期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:  Yang, J;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11
Performance and retention characteristics of nanocrystalline Si floating gate memory with an Al2O3 tunnel layer fabricated by plasma-enhanced atomic layer deposition 期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 7
作者:  Ma, ZY;  Wang, W;  Yang, HF;  Jiang, XF;  Yu, J
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/03/11

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