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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：国家空间科学中心    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The threshold voltage degradation of MOSFET in heavy-ion single event effect test 会议论文 Beijing, China, May 16, 2018 - May 18, 2018 作者:  Zhang, Zeming;  Ma, Yingqi;  Li, Dan;  Tong, Chao;  Guo, Xiaoxiao 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/26 COTS器件的空间辐射效应与对策分析 期刊论文 电子元件与材料, 2015, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: 1-4 作者:  贾文远;  安军社 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/22 COTS器件  空间辐射  综述  单粒子效应  总剂量效应  位移损伤效应  防护措施   电离总剂量复合屏蔽模拟仿真及验证试验 期刊论文 空间科学学报, 2014, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 180-185 作者:  胡鉴航;  冯颖;  韩建伟;  蔡明辉;  杨涛 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2014/07/14 空间辐射  电离总剂量  屏蔽  蒙特卡罗方法