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| 单粒子瞬态脉冲宽度测量电路 专利
专利号: CN201410811710.2, 申请日期: 2017-12-12, 公开日期: 2015-06-03
作者: 韩郑生 ; 罗家俊; 宿晓慧; 李欣欣; 郝乐
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| 一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法 专利
专利号: CN201410841720.0, 申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2015-03-25
作者: 苏梅英; 万里兮; 曹立强; 陆原; 王启东
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| 一种插入层复合结构及其制作方法 专利
专利号: CN201410671215.6, 申请日期: 2017-07-18, 公开日期: 2015-03-04
作者: 白云; 申华军; 汤益丹; 刘新宇; 杨成樾
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| 一种基于压缩感知的一维信号随机采样方法 专利
专利号: CN201410083488.9, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2014-05-14
作者: 李冬梅; 罗庆; 梁圣法; 李小静; 张浩
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| 一种掩膜图形的优化方法、最佳焦平面位置测量方法及系统 专利
专利号: CN201610342206.1, 申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2016-07-20
作者: 韦亚一; 董立松; 宋之洋
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| 一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法 专利
专利号: CN201410541573.5, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2015-02-18
作者: 卢年端; 李泠; 刘明; 孙鹏霄
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| 光电模块中微弱电流测量电路的设计与测试 期刊论文
电子设计工程, 2017
作者: 李宝霞; 谭同; 薛海韵; 何慧敏; 曹立强
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| 非晶铟镓锌氧化物半导体薄膜晶体管接触电阻测量与物理机制研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2017
作者: 韩志恒
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| 辐射探测电路 专利
专利号: CN201410594424.5, 申请日期: 2017-04-05, 公开日期: 2015-02-11
作者: 赵发展; 刘梦新; 韩郑生; 刘鑫
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| 测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法 专利
专利号: CN201310286669.7, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2015-01-14
作者: 梁擎擎; 钟汇才; 朱慧珑; 叶甜春
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