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科研机构
微电子研究所 [2]
内容类型
外文期刊 [2]
发表日期
2005 [1]
2002 [1]
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Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates
外文期刊
2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Ran, JX
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提交时间:2010/11/26
Field-effect Transistors
Surface Passivation
The reactive ion etching of Bi2Ti2O7 thin films on silicon substrates and its image in atomic force microscopy
外文期刊
2002
作者:
Wang, Z
;
Sun, DL
;
Hu, JF
;
Cui, DL
;
Xu, XH
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提交时间:2010/11/26
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